Samsung podał do wiadomości, że jako pierwszy na świecie uruchamia produkcję układów scalonych bazujących na technologii 3 nanometrów. Do wytwarzania układów służy architektura tranzystorowa o nazwie Gate-All-Around.
Nazwa Gate-All-Around została nadana z uwagi na fakt, że cztery strony kanałów wchodzących w skład układu otoczone są otoczone. Pozwala to zwiększyć wielkość prądu zasilającego tranzystory. I jest dużo wydajniejsza od poprzedniej technologii FinFET wykorzystującej tylko trzy strony.
Samsung informuje, że układy 3 nm projektowane były z przeznaczeniem do stosowania w wysokowydajnych komputerach stacjonarnych. Niebawem firma ma produkować również układy 3 nm do urządzeń mobilnych.
W ciągu najbliższych 5 lat Samsung ma wydać na rozwój nowoczesnych technologii w układach scalonych 355 mld dolarów. Wybuduje także fabrykę chipów w Teksasie, co pochłonie 17 mld dolarów.
Źródło: computerworld.pl
